Herbert Kroemer (Herbert Krömer; * 25. August 1928 in Weimar; † 8. März 2024) weer en düütsch Physiker un Nobelpriesdräger.

Herbert Kroemer (2008)

Leven ännern

Herbert Kroemer fung nah dat Abitur an dat Friedrich-Schiller-Gymnasium Weimar 1947 mit dat Physikstudium an de Universität Jena an un hett ünner annern Vörlesungen bi Friedrich Hund besöcht. As he wiels de Berliner Luftbrügg to en Praktikum in Berlin weer, hett he de Gelegenheit för de Flucht in den Westen wohrnommen un sien Studium an de Georg-August-Universität Göttingen fortsett. 1952 hett he sien Doktertitel bi Richard Becker up dat Rebeet vun de Theoretisch Physik över Effekte von heet Elektronen in Transistoren maakt un hett ansluutend as „angewandter Theoretiker“, as he dat sülvst nömmt hett, in' FTZ vun de Düütsch Bundspost arbeit. 1954 gung he in de USA un hett dor bi verscheeden Forschensinrichtungen Princeton un Palo Alto arbeit. He lehr van 1968 bit 1976 as Perfesser för Physik an de University of Colorado at Boulder un hett ansluutend an de University of California, Santa Barbara ünnerricht.

Wark ännern

Herbert Kroemer hett nie in Rebeeden arbeit, de jüst „aktuell“ weern, sonnern he weer mehr in Berieken tätig, deren Bedüüden eerst Johren later düütlich wurrn. So hett he in de 1950er Johren all Arbeiten över dat Konzept vun en Heterojunction Bipolar Transistors, de Frequenzen in' Gigahertzberiek mögelk maakt, herutgeven. 1963 hett he dat Konzept vun Doppelheterostrukturlasern, dat Grundkonzept vun Halfleiterlasern entwickelt. Beid Konzepte weern hör Tiet wiet vörut un kunnen eerst, nah de Entwicklung vun de Epitaxie, in de 1980er Johren wohr maakt wurrn.

In sien Tiet in Santa Barbara hebbt sück sien Hööftaktivitäten vun de Theorie in den experimentellen Beriek verschaven. So weer he Enn' vun de 1970er Johren maatgevend an de Entwicklung vun de Molekularstrahlepitaxie bedeeligt, wobi he nee Materialkombinatschonen as Galliumphosphid un Galliumarsenid up Siliciumsubstraten herstellen un ünnersöken dee. Nah 1985 hett sück sien Interesse up de Materialkombinatschonen Indiumarsenid, Galliumantimonid un Aluminiumantimonid verännert.

He wurr 2000 tosommen mit Schores Iwanowitsch Alfjorow mit de Hälft vun den Nobelpries för Physik för de Entwicklung vun Halfleiterheterostrukturen för Hoochgeschwindigkeits- un Optoelektronik uttekent, de anner Hälft gung an Jack Kilby för de Entwicklung vun Integreert Schaltkreisen.

Utteknungen ännern

Weblenken ännern